产品特点

仪器采用32位高速ARM处理器技术，内部时钟高达100MHz，能够真正准确测量晶体管的开关时间，并且将时间测量分辨力提高到0.01μS。

能够自动测量晶体管的放大倍数β、开关时间（上升时间Tr、存储时间Ts、下降时间Tf）、正向压降Vbe、饱和压降Vces、耐压BVceo、漏电流Iceo等参数。

仪器在本机数字显示测量参数的同时还将测量参数及设置参数通过高速USB接口发送至电脑，方便用户对测量数据进行统计、打印等管理。

仪器能够根据测量参数对被测器件进行自动分批、对不合格器件自动报警，并且指明不合格项目。

测试速度非常快捷，1秒钟内完成参数测试。非常适合电子整流器、节能灯生产厂家对晶体管进行快速批量筛选。

技术参数

1. 测量参数Measure parameter:

放大倍数β：（0 - 999）

开关时间Switching time T ：(0.01μS - 99.9μS)，包括上升时间、存储时间、下降时间。Including Tr、Ts、Tf

饱和压降Vces：（0 - 2V）

正向压降Vbe：（0 - 2V）

漏电流Leakage current Iceo：（0.01μA - 3mA）

耐压Withstand voltage BVceo：（50V - 650V）

2. 测试条件 Testing conditions:

β测试Ib注入电流分三档 β test three different Ib current：0.1mA、1.0mA、10mA。

开关时间测试Ic电流分四档 Switching time test four different Ic current：0.5A、0.25A、0.1A、0.05A；对应Ib电流为 the corresponding Ib current: 0.1A、0.05A、0.02A、0.01A。

Vbe、Vces的测试条件与开关时间测试条件相同The testing condition of Vbe and Vces is same as switching time testing condition.

漏电流Iceo测试电压: 50V～650V连续可调。Test voltage for leakage current Iceo: 50V～650V adjustable.